バイアス温度ストレスによる酸窒化SiO2/Si界面欠陥の電荷捕獲挙動

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Title
バイアス温度ストレスによる酸窒化SiO2/Si界面欠陥の電荷捕獲挙動
File
Description

香川大学修士(材料創造工学専攻)学位論文; 平成22年3月24日授与; 報告書番号:修第435号

Author
著者 安藤 慎一郎
著者(ヨミ)
著者(別表記)
Publisher
香川大学
Publisher Aalternative
Kagawa University
Resource Type
Thesis or Dissertation
Language
jpn
Text Version
author
Set
香川大学
Data Created
20100217
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