バイアス温度ストレスによる酸窒化SiO2/Si界面欠陥の電荷捕獲挙動
| URI | http://shark.lib.kagawa-u.ac.jp/kuir/metadata/4991 | ||||||
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| Title |
バイアス温度ストレスによる酸窒化SiO2/Si界面欠陥の電荷捕獲挙動
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| File |
2009TM435.pdf
( 1717.0 KB )
Open Date
：2012-03-27
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| Description |
香川大学修士(材料創造工学専攻)学位論文; 平成22年3月24日授与; 報告書番号:修第435号 |
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| Author |
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| Publisher |
香川大学
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| Publisher Aalternative |
Kagawa University
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| Resource Type |
Thesis or Dissertation
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| Language |
jpn
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| Text Version |
author
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| Set |
香川大学
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| Data Created |
20100217
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