不揮発性半導体メモリに適用する薄いSiN膜の形成法と電荷捕獲中心モデルに関する研究

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Title
不揮発性半導体メモリに適用する薄いSiN膜の形成法と電荷捕獲中心モデルに関する研究
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Description

香川大学修士(材料創造工学専攻)学位論文; 平成21年3月24日授与; 報告書番号:修第367号

Author
著者 土岐 篤史
著者(ヨミ)
著者(別表記)
Publisher
香川大学
Publisher Aalternative
Kagawa University
Resource Type
Thesis or Dissertation
Language
jpn
Text Version
author
Set
香川大学
Data Created
20090217
Copyright (C) 2009 Kagawa University All rights reserved.